Теле Фото Техника : Разработка Crossbar позволяет создавать микросхемы памяти типа RRAM площадью 200 мм2 объёмом 1 ТБ

Новости отрасли

На главную / Все новости / Все новости раздела

Дата : 4 сентября 2013 года | просмотров: 222

Разработка Crossbar позволяет создавать микросхемы памяти типа RRAM площадью 200 мм2 объёмом 1 ТБ

Компания Crossbar сообщила о том, что ею создан рабочий массив резистивной памяти (RRAM) на обычной коммерческой фабрике. Это показатель того, что до массового производства (в теории) осталось недолго. Если учесть, что первые образцы подобной памяти были получены ещё в 2006 году, а к 2010 году на тот момент планировалось получение коммерческих образцов, нынешнее достижение Crossbar является достаточно значимым.

Напомним, что резистивная память характеризуется высоким быстродействием и малым энергопотреблением. Кроме этого, за счёт меньшего количество проблем с переходом на более тонкие техпроцессы (по сравнению с памятью NAND), RRAM пророчат в качестве замены современной флэш-памяти.

Возвращаясь к Crossbar, компания заявляет, что её разработка позволит создавать память объёмом 1 ТБ при площади микросхемы 200 мм2. Кроме этого, благодаря возможности «трёхмерной» архитектуры, можно создавать микросхемы объёмом несколько ТБ. Разработчик утверждает, что его память превосходит лучшие современные образы NAND по скорости записи в 20 раз, по уровню энергопотребления в 20 раз и имеет на порядок больший срок службы.

www.ixbt.com/news/hard/archive.shtml?2013/0806#id170609

На главную / Все новости / Все новости раздела

		Главная \| E-mail \| 18.04.2024

	Главная страница \| О журнале \| Авторам \| Редколлегия \| Контакты

	Научно-технический интернет-журнал Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314