Интернет-журнал ТелеФото Техника
          Главная    |    E-mail    |    29.09.2020      
Главная страница   |   О журнале   |   Новости   |   Авторам   |   Контакты            
Научно-технический интернет-журнал        Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314      

   


 

Рейтинг@Mail.ru
ЭВС-комплексные системы безопасности. Разработка и производство ТВ камер. Мегапиксельные телевизионные камеры с интерфейсом USB 2.0. Цифровые системы видеонаблюдения. Оборудование для банков и экспертно-криминалистические комплексы. Системы доступа. Тест-драйв. Форум.

 

Новости отрасли
На главную / Все новости / Все новости раздела

Дата   :   17 октября 2014 года  |  Для печати  |  просмотров: 533

Samsung первая приступила к производству флеш-памяти 3D V-NAND

Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного производства первой в отрасли флеш-памяти типа NAND, имеющей вертикальную объемную компоновку (3D V-NAND), и способную хранить в одной ячейке три бита данных. Эта флеш-память предназначена для применения в твердотельных накопителях.

Новинка относится ко второму поколению памяти Samsung V-NAND. В ячейках V-NAND применяется технология CTF (Charge Trap Flash, память с ловушкой заряда). Массивы ячеек расположены в чипе слоями один поверх другого. В каждом таком чипе интегрировано вертикально 32 слоя ячеек. Плотность чипа составляет 128 Гбит.




Подобная структура позволяет значительно повысить эффективность производства: более чем вдвое в расчете на одну пластину по сравнению с традиционной планарной трехбитной памятью, производимой Samsung по технологии т.н. 10-нм класса.

Память V-NAND первого поколения (включающую 24 слоя) компания Samsung представила в августе прошлого года, а второго поколения (включающую 32 слоя) – в мае 2014 г.

Производство новой памяти будет способствовать дальнейшему продвижению SSD на рынке потребительских ПК, сообщают в компании.

www.russianelectronics.ru/leader-r/news/9318/doc/70432/

 
<< Предыдущая новостьСледующая новость >>