Главная | E-mail | 20.04.2024 | ||
Главная страница | О журнале | Авторам | Редколлегия | Контакты | ||
Научно-технический интернет-журнал Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314 |
|
Новости отрасли
Дата : 24 декабря 2014 года | просмотров: 204
Компания Crossbar объявила о «достижении ещё одной ключевой вехи, необходимой для вывода на рынок микрочипов хранения данных терабайтной ёмкости».
Crossbar проектирует память 3D RRAM, архитектура которой предусматривает объёмную компоновку. При этом применяется фирменная технология 1TnR (1 Transistor driving n Resistive memory cell), благодаря которой один транзистор может управлять большим количеством ячеек памяти (более 2000). Это позволяет добиться очень высокой плотности хранения информации. Но у методики 1TnR есть и обратная сторона. Из-за паразитных токов ухудшаются показатели производительности и надёжности хранения данных. Решить проблему удалось путём использования запатентованного сверхлинейного устройства выбора порога. Этот селектор позволяет подавлять токи утечки величиной менее 0,1 нА. Предложенное решение уже подтвердило свою эффективность в составе микрочипа RRAM ёмкостью 4 Мбит. www.3dnews.ru/906865
|
|