Новости отрасли
Дата : 28 октября 2015 года | просмотров: 139
 | Micron представила память, меняющую принципы построения электронных устройств |
Компания Micron представила высокоскоростную флэш-память XTRMFlash, как утверждается, способную изменить принципы построения систем автомобильной, промышленной и потребительской электроники.
Память XTRMFlash превосходит по производительности используемую сейчас флеш-память типа NOR с последовательным интерфейсом, выгодно отличаясь от памяти типа NOR с параллельным интерфейсом существенно (на 75%) меньшим числом выводов. Говоря более конкретно, в интерфейсе новой памяти всего 11 активных линий. Используя XTRMFlash, разработчики электронных систем получают идеальное решение для хранения кода с функцией его прямого выполнения без копирования из флеш-памяти.
В Micron рассчитывают, что память XTRMFlash и соответствующий интерфейс будут приняты отраслью в качестве открытых стандартов. Кстати, компания Winbond Electronics уже подписала с Micron соглашение, позволяющее ей разрабатывать изделия с поддержкой XTRMFlash.
В заключение — несколько числовых показателей. Время выполнения операции произвольного доступа составляет 83 нc, время между считыванием двух последовательных байтов — 2,5 нc. Это существенно лучше показателей флеш-памяти типа NOR с интерфейсами SPI и Quad-SPI. Установившаяся скорость передачи в режиме чтения достигает 400 МБ/с, в режиме записи — 300 МБ/с. В семейство Micron XTRMFlash вошли микросхемы плотностью от 128 Мбит до 2 Гбит в вариантах, различающихся корпусами, напряжением питания и диапазонами рабочих температур. Их ознакомительные образцы уже доступны.
www.russianelectronics.ru/leader-r/news/9318/doc/74033/
Содержание
Разделы журнала
