Интернет-журнал ТелеФото Техника
          Главная    |    E-mail    |    04.07.2020      
Главная страница   |   О журнале   |   Новости   |   Авторам   |   Контакты            
Научно-технический интернет-журнал        Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314      

   


 

Рейтинг@Mail.ru
ЭВС-комплексные системы безопасности. Разработка и производство ТВ камер. Мегапиксельные телевизионные камеры с интерфейсом USB 2.0. Цифровые системы видеонаблюдения. Оборудование для банков и экспертно-криминалистические комплексы. Системы доступа. Тест-драйв. Форум.

 

Новости отрасли
На главную / Все новости / Все новости раздела

Дата   :   25 февраля 2009 года  |  Для печати  |  просмотров: 620

MIT разработала трехмерный 1-мегапиксельный сенсор

На конференции, посвященной новинкам схемотехники International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), группа исследователей из Массачусетского технологического института (Massachussets Institute of Technology, MIT) заявила о разработке КМОП-сенсора на технологии межкремниевых соединений (through-silicon vias, TSV). Чип спроектирован по принципу так называемой объемной этажерочной (3D stacking) архитектуры. Основанный на 0,35-микронной технологии сенсор с разрешением 1 Мп (1024х1024 пикселей) состоит из семи слоев. Два верхних слоя представляют собственно фоточувствительную матрицу, при этом поверхность первого слоя на 100% состоит из фотодиодов размером порядка 50-мкм. Второй, соответственно обеспечивает коммутацию сенсора с остальными слоями на которых разместились несколько АЦП, кодировщики адресов и данных, параллельный интерфейс I2C и две 12-битовые шины LVDS с пропускной способностью 512 Мбит/с. Высота этого многослойного чипа с контактами не превышает 0,5 мм.




Переход на архитектуру TSV – дальнейшее развитие двумерной технологии КМОП, которая, по данным исследований, позволит сократить энергопотребление на несколько порядков.


www.3dnews.ru/news/mit_razrabotala_itrehmerniii_1_megapikselnii_sensor/>ссылка

 
<< Предыдущая новостьСледующая новость >>