Интернет-журнал ТелеФото Техника
          Главная    |    E-mail    |    25.05.2020      
Главная страница   |   О журнале   |   Новости   |   Авторам   |   Контакты            
Научно-технический интернет-журнал        Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314      

   


 

Рейтинг@Mail.ru
ЭВС-комплексные системы безопасности. Разработка и производство ТВ камер. Мегапиксельные телевизионные камеры с интерфейсом USB 2.0. Цифровые системы видеонаблюдения. Оборудование для банков и экспертно-криминалистические комплексы. Системы доступа. Тест-драйв. Форум.

 

Новости отрасли
На главную / Все новости / Все новости раздела

Дата   :   25 августа 2010 года  |  Для печати  |  просмотров: 608

Hynix начинает массовый выпуск NAND-памяти плотностью 64 Гбит по нормам 20 нм

Компания Hynix Semiconductor объявила о начале массового производства флэш-памяти типа NAND плотностью 64 Гбит, соблюдая нормы 20-нанометрового класса. По словам производителя, переход на новый техпроцесс обеспечивает прирост производительности на 60% и позволяет выпускать более ёмкую и дешёвую флэш-память для мобильных устройств.




Результатом сотрудничества с израильскими коллегами станут решения, в которых сочетаются чипы памяти Hynix и контроллеры Anobit. На данный момент разработки ведутся с применением флэш-памяти 30-нанометрового класса, но уже в сентябре станут доступны чипы NAND нового поколения, претендующие на основу для быстрых твердотельных накопителей.




Выпускаться изделия будут на фабрике Hynix в южнокорейском городе Чхонджу. Ожидается, что первые продукты, использующие 20-нм память, появятся в продаже до конца текущего года.

www.ixbt.com/news/hard/archive.shtml?2010/0810

 
<< Предыдущая новостьСледующая новость >>