![]() |
![]() |
Главная | E-mail | 06.06.2023 |
![]() |
||
Главная страница | О журнале | Авторам | Редколлегия | Контакты | ||
![]() |
||
Научно-технический интернет-журнал Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314 |
|
Новости отрасли
Дата : 13 октября 2010 года | просмотров: 141
Альянс Global Semiconductor Alliance (GSA) заявил о старте инициатив по разработке 3D-кристаллов и MEMS-систем. GSA планирует ускорить внедрение 3D-технологии, которая может заметно изменить положение дел в полупроводниковой отрасли. Однако на этом пути имеется немало трудностей.
Отраслевая полупроводниковая фаблесс-ассоциация планирует создать рабочие группы, целью которых станет обучение и, возможно, создание стандартов, позволяющих преодолеть проблемы цепочки поставок 3D-кристаллов и MEMS-систем. Ассоциация GSA намеревается пригласить в свое правление руководителя из одной ведущей японской компании, занимающейся производством кристаллов. Руководителем инициативы разработки технологии 3D-кристаллов назначен Херб Рейтер (Herb Reiter). Цель этой программы – ускорить внедрение метода формирования сквозных отверстий в кремнии (Through-Silicon Via – TSV), чтобы реализовать связь в штабелированных кристаллах. Известно, что такие крупные компании как IBM, Intel и Samsung имеют свои экосистемы для производства 3D-кристаллов. Они готовы приступить к выпуску продукции, как только новая технология станет экономически оправданной. Рейтер стремится помочь остальным компаниям отрасли ускорить процесс освоения этой технологии. По словам Рейтера, самая трудная проблема – убедить руководство в возможности и необходимости вложить средства в научно-исследовательскую деятельность, чтобы за 2–3 года освоить технологию TSV. Однако следует понимать, что этот метод может стать для многих компаний хорошей альтернативой переходу на 22- и 16-нм нормы. Компании Sematech и IMEC возглавляют исследование возможностей производства кристаллов на основе технологии TSV. Поставщики САПР также должны освоить эту технологию, подготовив соответствующие инструменты проектирования. В кристаллах цифровых фотоаппаратов уже используются сквозные отверстия, но они разнесены друг от друга на 20–50 мкм. Рейтер считает, что отрасли необходимо наладить серийный выпуск кристаллов, в которых расстояние между сквозными отверстиями составит всего лишь 2 мкм. В результате во много раз снизится не только энергопотребление устройств, но и их размеры. Джоди Шелтон (Jodi Shelton), глава GSA, считает, что в настоящее время необходимо обучать специалистов, чтобы они хорошо разбирались в технологии 3D-кристаллов, а также в том, как она повлияет на цепочку поставок. Рейтер займется организацией рабочих групп, которые будут изучать этот предмет. Ассоциация GSA избрала Мартена Виллемса (Maarten Willems) из IMEC в качестве руководителя рабочей группы по системам MEMS в Европе и Луиса Росса (Louis Ross), вице-президента Virtus Advanced Sensors, руководителем рабочей группы по системам MEMS в США и Азии. CSR, GlobalFoundries, STMicroelectronics и TSMC заинтересовались тем, что заставило GSA заняться инициативой MEMS. Эти компании намереваются установить свои приоритеты в этом направлении и, возможно, определить новые стандарты.
|
|