Интернет-журнал ТелеФото Техника           Главная    |    E-mail    |    25.04.2024      
Главная страница   |   О журнале   |   Авторам   |   Редколлегия   |   Контакты            

Научно-технический интернет-журнал        Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314      


   


 

Новости отрасли
На главную / Все новости / Все новости раздела

Дата   :   8 июля 2011 года  |  просмотров: 232

TSMC может опередить Intel в производстве 3D-кристаллов

Такой фаундри-гигант как TSMC уже к концу 2011 г. сможет осуществить первые поставки полупроводников, изготовленных по технологии трехмерной компоновки, опередив, таким образом, компанию Intel.




Всообщении организации Taiwan External Trade Development Council (TAITRA) указывается, что в поставках объемных полупроводников TSMC не уступает крупнейшему производителю кристаллов – Intel, который заявил в мае текущего года о начале серийного производства 3D-чипов с использованием трехзатворных транзисторов.

Хотя в сообщении TAITRA компании TSMC и Intel выглядят конкурентами в производстве объемных кристаллов, используемые ими технологии различны. TSMC совместно с другими компаниями разработала технологию объемного межсоединения под названием TSV (through silicon vias). В этом методе вертикальные соединения проходят сквозь кристалл, соединяя разные его уровни в пределах одного корпуса. Трехзатворная технология Intel основана на использовании трехмерных транзисторов, или т.н. FinFET-транзисторов, т.к. полупроводниковый канал по форме напоминает ребро (fin), выступающее из подложки.

Ожидается, что объемная технология позволит повысить плотность транзисторов в отдельно взятом кристалле в 1000 раз. Устройства на базе таких кристаллов будут потреблять на 50% меньше энергии, чем нынешние полупроводниковые изделия. Предполагается также, что новая технология позволит решить ряд проблем, связанных с применением «планарных» транзисторов.

TAITRA сообщает, что TSMC тесно сотрудничала с рядом сборщиков полупроводников и поставщиков программного обеспечения, чтобы коммерциализировать технологию изготовления объемных кристаллов.

www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/56425/