Интернет-журнал ТелеФото Техника           Главная    |    E-mail    |    25.04.2024      
Главная страница   |   О журнале   |   Авторам   |   Редколлегия   |   Контакты            

Научно-технический интернет-журнал        Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314      


   


 

Новости отрасли
На главную / Все новости / Все новости раздела

Дата   :   13 сентября 2012 года  |  просмотров: 220

Норвежские ученые смогли вырастить полупроводниковые нити на подложке из графена

Специалистам норвежской компании CrayoNano удалось сделать шаг, который может открыть путь к полупроводниковым приборам нового поколения. Ученые научились выращивать на подложке из графена нити из арсенида галлия (GaAs), являющегося полупроводником.




Запатентованный гибридный материал имеет выдающиеся оптоэлектронные свойства. По словам одного из основателей CrayoNano, выступающего также в роли главного технического директора, в новом материале объединилась низкая стоимость, оптическая прозрачность и механическая гибкость.

Чтобы вырастить на графене полупроводниковые нити, исследователи использовали технологию молекулярно-лучевой эпитаксии. Особенностью этой технологии, основанной на эпитаксиальном росте в условиях сверхвысокого вакуума, является требование к подложке иметь высокочистую, гладкую на атомарном уровне поверхность. Графен удовлетворяет этому требованию, Причем его можно использован в качестве подложки не только для GaAs.




В числе первых областей применения нового материала разработчики видят солнечные батареи и светодиоды. В перспективе он дает возможность интегрировать микромашины и электронные схемы с автономным питанием не только в привычные компьютеры и мобильные устройства, но и в одежду, аксессуары, предметы обихода.

www.ixbt.com/news/hard/archive.shtml?2012/0910#id160991