Интернет-журнал ТелеФото Техника
          Главная    |    E-mail    |    13.07.2020      
Главная страница   |   О журнале   |   Новости   |   Авторам   |   Контакты            
Научно-технический интернет-журнал        Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314      

   


 

Рейтинг@Mail.ru
ЭВС-комплексные системы безопасности. Разработка и производство ТВ камер. Мегапиксельные телевизионные камеры с интерфейсом USB 2.0. Цифровые системы видеонаблюдения. Оборудование для банков и экспертно-криминалистические комплексы. Системы доступа. Тест-драйв. Форум.

 

Новости отрасли
На главную / Все новости / Все новости раздела

Дата   :   28 декабря 2012 года  |  Для печати  |  просмотров: 811

Samsung успешно продвигается в освоении 14-нм норм FinFET

Компания Samsung Electronics сообщила, что добилась существенного успеха в освоении 14-нанометровых норм техпроцесса с применением транзисторов FinFET (аналог транзисторов с трёхмерной структурой затвора, представленных в 22-нм техпроцессе Intel) — она вместе со своими ключевыми партнёрами успешно достигла стадии Tape-out для множества тестовых кристаллов. Tape-out — этап, предшествующий изготовлению фотошаблона для печати чипов. Samsung также сообщила, что ею подписано соглашение с ARM в отношении 14-нм физических чипов и библиотек. Это не первое соглашение между компаниями, имеющее целью предоставить рынку готовые к производству системы на чипе.




Южнокорейский гигант отмечает, что в рамках 14-нм техпроцесса FinFET компания и её партнёры по экосистеме — ARM, Cadence, Mentor и Synopsys — подготовили несколько тестовых чипов, в том числе полноценный процессор ARM Cortex-A7 и чип на базе SRAM, способный работать на пороговых значениях напряжения наряду с массой аналоговых решений. Стоит отметить, что достижение стадии Tape-out для тестового кристалла полноценного ядра ARM Cortex-A7 является существенном достижением в полупроводниковом производстве на таких тонких нормах, которое позволит скорее освоить массовую печать 14-нм мобильных процессоров.





Cortex-A7 с транзисторами FinFET позволит добиться ещё более низкого энергопотребления этих простых ядер, которые ARM предлагает использовать в связке с заметно более мощными Cortex-A15 в рамках технологии big.LITTLE, позволяющей улучшить баланс между энергоэффективностью и производительностью мобильных решений. 14-нм FinFET-техпроцесс Samsung позволяет уменьшить токи утечек и добиться улучшенной динамической мощности на растущем рынке процессоров для мобильной электроники.

Корейская компания Samsung отмечает, что тестовый чип Cortex-A7 был разработан ею в сотрудничестве с Cadence и ARM. Cadence предоставила средства синтезиса (RTL-to-signoff flow), построенные на базе набора инструментов, предварительно тщательно протестированного на требующем двойного формирования литографических шаблонов 20-нм техпроцессе. Cadence тесно сотрудничала с Samsung и ARM над оптимизацией своей технологии под проектирование 14-нм FinFET-чипов. ARM использовала инструменты Cadence для создания библиотек 14-нм техпроцесса FinFET и при разработке дизайна Tape-out ядра процессора.




Samsung также сотрудничала c Synopsys, которая предоставила новые рассчитанные на трёхмерные структуры инструменты для оптимизации чипов на базе FinFET-транзисторов, использующих память SRAM с низким энергопотреблением, работающую на близких к пороговым значениям напряжениях.
Одновременно компания Samsung отмечает, что ею было расширено сотрудничество с Mentor Graphics с целью создания средств тестирования и подготовки к производству чипов, производимых на основе 14-нм техпроцесса FinFET. Эти средства призваны избавить клиентов Samsung от лишних трудностей при проектировании, проверке, совместной производственной оптимизации и пост-дизайне. Сотрудничество усиливает уникальные возможности техпроцесса Samsung, одновременно помогая проектировщикам преодолеть сложности, вызываемые использованием нескольких шаблонов в литографии, FinFET-транзисторами и более высокими требованиями к надёжности конечных продуктов.

Важно то, что уже сейчас Samsung готова предоставить клиентам наборы инструментов для разработки новых чипов, так что они могут приступить к проектированию своих продуктов. Тестовые модели, руководства по правилам проектирования и технологические требования разработаны на базе результатов, полученных от созданных ранее в исследовательских лабораториях Samsung тестовых чипов.

«Индустрия всё ближе подходит к эпохе настоящих мобильных вычислений, так что разработчики чипов жаждут использовать преимущества в области повышенной производительности и существенно сниженного энергопотребления 14-нм техпроцесса FinFET, что позволит дать пользователям мобильных устройств окружение, подобное ПК, — считает старший вице-президент подразделения Device Solutions в Samsung Санг Кю Чои (Sung Kyu Choi). — Сложности проектирования с соблюдением 14-нм норм требуют полного согласия между технологическим процессом, методологией проектирования, инструментами и исходной логикой. Мы синхронизировали все ключевые элементы, так что наши клиенты смогут вывести новейшие чипы на рынок быстро и эффективно».




Что ж, нам остаётся ждать появления первых массовых мобильных ARM-процессоров, созданных с соблюдением 14-нм норм Samsung. Вероятно, это будут многоядерные чипы Exynos от самого корейского гиганта, основанные на представленных в этом году британской компанией ядрах Cortex-A57 и Cortex-A53 с 64-битной архитектурой ARMv8 и использующие графику Mali нового поколения.

www.3dnews.ru/news/639548

 
<< Предыдущая новостьСледующая новость >>